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PL3326CD 是聚元微電子推出的一款高精度恒壓/恒流原邊控制 PWM 功率開關(guān)芯片，主打"省掉光耦、省掉次級(jí)控制"的路線。它通過(guò)原邊反饋技術(shù)實(shí)現(xiàn)高精度的電壓和電流調(diào)節(jié)，無(wú)需光耦和次級(jí)恒流恒壓電路，就能把外圍器件精簡(jiǎn)到極致，特別適合做 15W 以內(nèi)的小功率充電器、適配器。
PL3326CD 是一款集成了功率 MOSFET 的原邊反饋（PSR）PWM 控制器，采用反激式拓?fù)洌畲笾С?15W 功率等級(jí)。它的核心思路是用原邊采樣替代傳統(tǒng)的副邊光耦反饋，通過(guò)輔助繞組檢測(cè)輸出電壓和電流信息，實(shí)現(xiàn) ±5% 的恒壓精度和全電壓范圍內(nèi)高精度的恒流調(diào)節(jié)。
芯片內(nèi)置了完整的控制模塊：恒壓控制器（CV Controller）、恒流控制器（CC Controller）、誤差放大器、采樣器，以及功率 MOSFET 的柵極驅(qū)動(dòng)。同時(shí)支持自適應(yīng)多模式 PWM/PFM 控制——重載時(shí)工作在 PWM 模式保證效率，輕載時(shí)切換到 PFM 模式降低損耗，空載時(shí)進(jìn)一步降頻到最低 550Hz，實(shí)現(xiàn)超低待機(jī)功耗。
原邊反饋，無(wú)需光耦：省去光耦和次級(jí) TL431 等控制電路，BOM 成本大幅降低
高精度恒壓/恒流：恒壓精度 ±5%，全電壓范圍恒流精度高
內(nèi)置高集成度功率 MOSFET：650V 耐壓，導(dǎo)通電阻約 2.7Ω，無(wú)需外置功率管
自適應(yīng)多模式控制：PWM/PFM 復(fù)合模式，重載高效、輕載低耗
低啟動(dòng)電流：典型值 5μA，可用大啟動(dòng)電阻降低損耗
內(nèi)置軟啟動(dòng)：上電時(shí)電感電流峰值逐漸增加，減小元件應(yīng)力
內(nèi)置前沿消隱（LEB）：300ns 消隱時(shí)間，避免電流檢測(cè)誤觸發(fā)
內(nèi)置線電壓補(bǔ)償：自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓變化對(duì)恒流精度的影響
內(nèi)置變壓器電感補(bǔ)償：消除電感量偏差對(duì)恒流點(diǎn)的影響
可編程輸出線補(bǔ)償：通過(guò) FB 端分壓電阻調(diào)節(jié)，改善負(fù)載調(diào)整率
完善的保護(hù)功能：
逐周期限流保護(hù)（OCP，閾值 500mV）
VDD 欠壓保護(hù)（UVLO，開啟閾值 15V，關(guān)閉閾值 7V）
VDD 過(guò)壓保護(hù)（OVP，閾值 27V）
輸出過(guò)壓保護(hù)（OVP）
過(guò)溫保護(hù)（OTP，150°C 觸發(fā)）
良好的動(dòng)態(tài)響應(yīng)：負(fù)載突變時(shí)輸出電壓快速穩(wěn)定
PL3326C 系列有三種封裝形式，管腳定義略有不同：
芯片內(nèi)部主要包含以下功能模塊：
5V 內(nèi)部供電（Internal Supply）：為內(nèi)部邏輯電路提供穩(wěn)定電源
UVLO 欠壓鎖定：檢測(cè) VDD 電壓，低于 7V 時(shí)關(guān)斷芯片，高于 15V 時(shí)啟動(dòng)
邏輯核心（Logic Core）：協(xié)調(diào)各模塊工作的中央控制單元
CV 控制器（恒壓控制）：通過(guò)采樣器檢測(cè) FB 端電壓，經(jīng)誤差放大器調(diào)節(jié) PWM 占空比，穩(wěn)定輸出電壓
CC 控制器（恒流控制）：在恒流模式下保持輸出電流恒定，不受輸出電壓變化影響
柵極驅(qū)動(dòng)（Gate Driver）：驅(qū)動(dòng)內(nèi)置功率 MOSFET
OCP + LEB：逐周期過(guò)流檢測(cè)，帶 300ns 前沿消隱
輸出 OVP：檢測(cè)輸出過(guò)壓狀態(tài)并保護(hù)
過(guò)溫檢測(cè)（OTP）：溫度超過(guò) 150°C 時(shí)自動(dòng)關(guān)斷
PL3326CD 的典型應(yīng)用是原邊反饋反激式開關(guān)電源，適用于手機(jī)充電器、電源適配器等場(chǎng)景。
輸入端：整流橋 + 濾波電容，將交流輸入轉(zhuǎn)換為高壓直流
啟動(dòng)電路：?jiǎn)?dòng)電阻給 VDD 電容充電，達(dá)到啟動(dòng)閾值后芯片開始工作
功率級(jí)：內(nèi)置 MOSFET 的 DRAIN 連接變壓器原邊繞組，CS 端通過(guò)采樣電阻檢測(cè)原邊電流
反饋網(wǎng)絡(luò)：輔助繞組通過(guò)電阻分壓連接到 FB 端，實(shí)現(xiàn)輸出電壓采樣
輸出端：次級(jí)繞組 + 整流二極管 + 輸出濾波電容
VDD 供電：?jiǎn)?dòng)后由輔助繞組經(jīng)整流二極管給 VDD 供電
啟動(dòng)階段：上電后，高壓直流通過(guò)啟動(dòng)電阻給 VDD 電容充電，當(dāng) VDD 達(dá)到約 15V 啟動(dòng)閾值，芯片輸出 PWM 信號(hào)，驅(qū)動(dòng)內(nèi)置 MOSFET 開始開關(guān)。
恒壓模式：正常負(fù)載時(shí)，芯片通過(guò) FB 端采樣輔助繞組電壓（反映輸出電壓），內(nèi)部誤差放大器調(diào)節(jié) PWM 占空比，使輸出電壓穩(wěn)定在設(shè)定值。
恒流模式：當(dāng)負(fù)載加重、輸出電壓下降時(shí)，芯片自動(dòng)切換到恒流模式，保持輸出電流恒定，此時(shí)輸出電壓由負(fù)載決定。
輕載/空載：FB 電壓變化觸發(fā)芯片進(jìn)入 PFM 模式，開關(guān)頻率降低，最低可至 550Hz，大幅降低待機(jī)功耗。
保護(hù)機(jī)制：
過(guò)流時(shí) CS 端電壓超過(guò) 500mV，芯片關(guān)斷當(dāng)前周期
VDD 異常時(shí)觸發(fā) UVLO 或 OVP 保護(hù)
過(guò)溫時(shí) 150°C 觸發(fā) OTP
| 參數(shù) | 典型值 |
|---|---|
| 啟動(dòng)電流 | 5μA |
| 工作電流 | 1mA |
| VDD 啟動(dòng)閾值 | 15V（上升）/ 7V（下降） |
| VDD 過(guò)壓保護(hù) | 27V |
| CS 過(guò)流閾值 | 500mV |
| LEB 前沿消隱 | 300ns |
| 最大開關(guān)頻率 | 120kHz |
| 最小開關(guān)頻率 | 550Hz |
| EA 基準(zhǔn)電壓 | 2.5V |
| 過(guò)溫保護(hù)點(diǎn) | 150°C |
| MOSFET 耐壓 | 650V |
| MOSFET 導(dǎo)通電阻 | 2.7Ω |
| 恒壓精度 | ±5% |
手機(jī)/無(wú)繩電話充電器
數(shù)碼相機(jī)充電器
小功率電源適配器（5V/2A、5V/2.4A、9V/1.5A 等）
消費(fèi)類備用電源
LED 驅(qū)動(dòng)（恒流應(yīng)用）
恒流點(diǎn)調(diào)節(jié)：通過(guò)改變 CS 端采樣電阻的阻值來(lái)設(shè)定恒流點(diǎn)。電阻越大，恒流點(diǎn)越小，輸出功率也越小。設(shè)計(jì)時(shí)根據(jù)目標(biāo)輸出電流計(jì)算合適的采樣電阻值。
輸出線補(bǔ)償：FB 端的分壓電阻越大，線補(bǔ)償量越大。通過(guò)調(diào)節(jié)分壓電阻可以改善負(fù)載調(diào)整率，讓空載和滿載時(shí)的輸出電壓保持一致。
變壓器設(shè)計(jì)：由于采用原邊反饋，變壓器需要設(shè)計(jì)輔助繞組用于電壓采樣。輔助繞組與次級(jí)繞組的匝比決定了 FB 端的采樣電壓，需配合分壓電阻精確計(jì)算。
封裝選擇：SOP7/DIP7 適合一般功率應(yīng)用（10W 左右）；SOP8 封裝有 4 個(gè) DRAIN 引腳并聯(lián)，散熱能力更強(qiáng)，適合接近 15W 的高功率應(yīng)用。
PL3326CD 是一款非常實(shí)用的原邊反饋 PWM 功率開關(guān)，最大的價(jià)值在于"精簡(jiǎn)"——省掉光耦、省掉次級(jí)控制 IC、省掉大量外圍器件，同時(shí)保持高精度的恒壓恒流性能。對(duì)于做 15W 以內(nèi)的小功率充電器或適配器，它能把 BOM 成本壓到很低，PCB 面積也能做得很小。內(nèi)置的線電壓補(bǔ)償、電感補(bǔ)償、輸出線補(bǔ)償?shù)裙δ?，讓這顆芯片在實(shí)際量產(chǎn)中表現(xiàn)穩(wěn)定，不會(huì)因?yàn)樽儔浩鲄?shù)偏差或輸入電壓波動(dòng)導(dǎo)致性能漂移。
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